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ST
STL17N65M5
  • 制造商:ST (中文名:意法半导体)
  • 标准封装:PowerFlat
  • 基本功能:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
  • (专注销售ST意法半导体元件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、邮件或在线QQ方式与销售代表联系询价及采购)
  • 参数详情:

    制造商零件编号:STL17N65M5
    制造商:STMicroelectronics
    描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
    系列:MDmesh V
    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能:标准
    漏源极电压 (Vdss):650V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.8A(Ta),10A(Tc)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):374 毫欧 @ 5.5A, 10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):816pF @ 100V
    功率 - 最大值:2.8W
    安装类型:表面贴装
    封装/外壳:4-PowerFlat HV
    供应商器件封装:PowerFlat (8x8) HV

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