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2N6668

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管,封装:TO-220
  • 技术参数:TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

2N6668参数详情:

在追求更高效率与可靠性的电子设计道路上,您是否曾为寻找一颗能够稳定驱动大电流负载、同时保持出色性价比的功率开关器件而反复权衡?今天,我们为您带来一个历经市场考验的经典答案2N6668。这颗来自ST意法半导体的PNP达林顿晶体管,以其高达10A的集电极电流和80V的集射极击穿电压,为您的功率控制应用提供了坚实可靠的核心动力。即便在部分渠道显示为停产状态,其卓越的性能和广泛的应用基础,使其依然是众多成熟设计方案中不可或缺的优选,通过可靠的ST一级代理渠道,您依然可以稳定获取这颗性能悍将。

想象一下,在工业自动化产线上,一个重型电磁阀或直流电机需要被精准、有力地启停控制;或者,在您的电源管理模块中,需要一个高效的线性稳压或开关电路中的调整管。2N6668正是为这类场景而生。它高达1000倍的直流电流增益,意味着您可以用极小的基极驱动电流,轻松驾驭高达10A的负载电流,极大地简化了前级驱动电路的设计,让系统整体更加简洁高效。其TO-220的经典封装,不仅提供了优秀的散热能力,最大65W的功耗处理能力更能确保其在严苛环境下长时间稳定运行,工作结温高达150°C,从容应对各种热挑战。

选择2N6668,就是选择了一份经过时间验证的可靠性。它不仅仅是一个参数表上的器件,更是无数成功案例中默默奉献的“幕后英雄”。其达林顿结构带来的高增益特性,让您的控制信号能够被无损放大,实现强电与弱电之间的完美桥梁作用。对于需要处理中高功率的PNP开关或放大应用,无论是音频功放的输出级、电机驱动,还是复杂的电源分配与管理,这颗芯片都能以出色的饱和压降表现(典型值3V @ 10A)和强大的电流处理能力,有效降低系统损耗,提升整体能效。当您在设计或维护一个追求稳定、耐用和成本效益的系统时,2N6668所提供的经典解决方案,无疑能为您省去大量重新验证与调试的时间,让项目更快、更稳地走向成功。

  • 型号:2N6668
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):3V @ 100mA,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V
  • 功率 - 最大值:65 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 2N6668的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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