A1C15S12M3-F

在追求更高能效与更紧凑设计的工业动力领域，您是否还在为功率模块的选型而权衡利弊？现在，让我们向您隆重介绍一个集高性能、高集成度与卓越可靠性于一身的解决方案A1C15S12M3-F。这款来自ST意法半导体的IGBT模块，不仅仅是简单的元器件，更是您驱动未来、提升产品竞争力的核心引擎。它采用先进的沟槽型场截止技术，将高达1200V的耐压与15A的电流处理能力浓缩于精巧的ACEPACK1封装之中，功率密度显著提升，让您的设备在有限的物理空间内迸发出更强劲的动力。

无论是伺服驱动器、变频器、工业UPS，还是紧凑型光伏逆变器和商用空调压缩机，A1C15S12M3-F都能游刃有余。其内置的三相反相器桥路与制动单元，为您省去了外部搭建的繁琐与不确定性，实现了从设计到量产的快速通道。更令人安心的是，模块内部集成了NTC热敏电阻，让温度监控变得直接而精准，配合-40°C至150°C的宽广结温工作范围，确保您的产品即使在严苛的环境下也能稳定运行，大幅提升了系统的整体可靠性与寿命。

选择A1C15S12M3-F，意味着您选择了一条通往高效与可靠的捷径。其2.45V的低饱和压降（Vce(on)）意味着更低的导通损耗，直接转化为更优的能效和更少的热量产生，帮助您的终端产品轻松满足日益严格的能效标准。同时，作为值得信赖的ST授权代理合作伙伴，我们确保您能获得原厂正品、充足库存以及专业的技术支持，让您的采购与研发过程全程无忧。从性能参数到实际应用，从单颗芯片到系统集成，这颗模块都致力于让您的设计更简单，让您的产品更具市场吸引力。立即行动，让A1C15S12M3-F成为您下一款明星产品的动力心脏。

• 型号:A1C15S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 15A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 功率 - 最大值:142.8 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，15A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):985 pF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1C15S12M3-F的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。