A1P50S65M2-F

在追求极致能效与可靠性的工业驱动领域，您是否正在寻找一款能同时兼顾高性能与紧凑设计的功率解决方案？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出A1P50S65M2-F，这款来自ST意法半导体的650V/50A IGBT模块，正是为满足现代高要求应用而生的动力核心。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在变频器、伺服驱动器或不断电供应系统的心脏部位，需要一颗强大而稳定的“心脏”来应对复杂的负载变化与严苛的环境。A1P50S65M2-F凭借其先进的沟槽型场截止技术，将导通损耗降至新低，Vce(on)典型值仅为2.3V，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，直接转化为更高的系统整体效率。其紧凑的ACEPACK 1封装集成了完整的三相反相器桥臂与NTC热敏电阻，让您的设计在获得208W强大功率处理能力的同时，还能轻松实现精准的温度监控与保护，系统集成度与可靠性双双提升。

选择A1P50S65M2-F，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的技术保障与长期价值。其宽广的-40°C至150°C结温工作范围，确保了从寒带到热带，从工厂车间到户外机柜，都能稳定运行。我们作为值得信赖的ST代理，不仅为您提供这颗性能卓越的芯片，更提供完整的技术支持与供应链服务，让您的创新之路畅通无阻。让它成为您下一代高效、紧凑、可靠功率系统的基石，共同开启绿色能源与智能控制的新篇章。

• 型号:A1P50S65M2-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 功率 - 最大值:208 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.15 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1P50S65M2-F的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。