A1P50S65M2

在追求极致能效与可靠性的工业动力世界，您是否正在寻找一颗能够同时驾驭高功率密度与卓越热管理的核心心脏？现在，答案就在眼前。我们隆重推出ST意法半导体的新一代功率解决方案A1P50S65M2，这颗集成了前沿沟槽型场截止技术的IGBT模块，正以其650V/50A的强大规格，重新定义208W功率级别的性能标杆。

想象一下，在变频驱动、伺服系统或不断电供应系统的核心，能量需要被高效、精准且稳定地转换与控制。A1P50S65M2正是为此而生。其内置的三相反相器配置，让三相电机驱动设计变得前所未有的简洁；而低至2.3V的饱和压降（Vce(on)），意味着在50A的大电流下，导通损耗被大幅削减，直接将系统效率推向新的高度。更令人安心的是，模块内部集成的NTC热敏电阻，如同一位忠诚的哨兵，实时监控温度变化，为系统的热安全保驾护航，确保在-40°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。

选择A1P50S65M2，不仅仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个值得信赖的伙伴和一份长久的保障。它采用的ACE PACK 1封装技术，不仅提供了优异的散热性能和电气隔离，其底座安装方式也极大简化了您的生产流程。我们作为专业的ST授权代理，不仅确保您获得原装正品，更能提供从选型支持到技术咨询的全链路服务。让这颗凝聚了ST尖端技术的模块，成为您下一代高端工业设备中，最强劲、最可靠的能量转换核心，助您轻松应对市场挑战，赢得竞争优势。

• 型号:A1P50S65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 功率 - 最大值:208 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.15 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1P50S65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。