A2P75S12M3

在追求极致能效与可靠性的工业动力世界，您是否正在寻找一颗能够承载高功率、应对严苛环境，同时保持稳定输出的核心动力心脏？今天，我们为您带来答案A2P75S12M3。这颗由ST意法半导体精心打造的IGBT模块，不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、迈向高效未来的关键引擎。它集成了前沿的沟槽型场截止技术与三相反相器配置，在1200V的高压与75A的大电流下从容不迫，将高达454.5W的功率精准、高效地转化为驱动力量。

想象一下，在变频驱动、工业电机控制、不间断电源（UPS）乃至新能源发电系统的核心电路中，A2P75S12M3正扮演着无可替代的角色。它卓越的电气性能，例如仅2.3V的低饱和压降（Vce(on)），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接为您节省运营成本，提升系统整体效率。其宽广的-40°C至150°C结温工作范围，配合内置的NTC热敏电阻，让您的设备即使在极端温度波动或高负荷工况下，也能实现精准的温度监控与可靠的过热保护，确保系统7x24小时稳定运行，无惧挑战。

选择A2P75S12M3，就是选择了一份源自顶尖半导体制造商的技术保障与长期价值。其模块化封装与底座安装方式，简化了您的散热设计与生产流程，让集成更轻松，维护更便捷。更重要的是，当您通过我们ST授权代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和具有竞争力的价格，更是从技术选型支持到供应链稳定的一站式服务体验。这颗芯片所代表的，是ST对品质的执着，也是我们对您项目成功的承诺。让它成为您下一个明星产品的动力之源，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:A2P75S12M3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 75A ACEPACK 2
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:75 A
• 功率 - 最大值:454.5 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，75A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.7 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 2
• A2P75S12M3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。