IRF640

在追求更高效率与可靠性的电力转换与控制领域，您是否还在为寻找一款性能稳定、驱动强劲的功率开关器件而反复权衡？今天，我们为您带来一个久经市场考验的经典答案IRF640。这款由ST意法半导体出品的N沟道MOSFET，凭借其卓越的200V耐压与高达18A的连续电流承载能力，自问世以来便成为众多工程师心中高效功率管理的基石。它不仅仅是一个元件，更是您系统稳定运行、性能得以充分发挥的坚实保障。

想象一下，在开关电源、电机驱动、DC-DC转换器或是音频放大器的功率输出级中，IRF640正以其低至180毫欧的导通电阻，最大限度地减少导通损耗，让能量更高效地传递。其10V的标准驱动电压，让控制电路的设计变得简洁而可靠。无论是应对工业环境中的频繁启停，还是消费电子中需要静音高效的能源管理，它都能游刃有余。其经典的TO-220AB封装，不仅提供了优异的散热性能，高达125W的功率耗散能力更能确保在严苛工况下的长期稳定，将系统过热风险降至最低。

选择IRF640，就是选择了一份源自ST先进MESH OVERLAY技术平台的品质与信任。它意味着您能以极具竞争力的成本，获得经过时间验证的出色性能与可靠性。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其在存量市场、特定项目或对经典方案有延续性需求的场景中，依然具有不可替代的价值。为确保您获得正品保障与可靠供应，我们作为专业的ST授权代理，致力于为您提供原厂品质的产品与专业的技术支持。让IRF640这款功勋器件，继续为您的创新产品注入强劲而可靠的动力，简化设计挑战，助您更快地将创意转化为市场领先的现实。

• 型号:IRF640
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1560 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF640的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。