IRF640FP

在追求更高效率与可靠性的电源和电机控制设计中，您是否曾为开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要处理200V高压和18A大电流时，一个选择往往决定了整个方案的成败。今天，我们向您隆重介绍一款历经市场考验的经典功率器件IRF640FP。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是ST意法半导体MESH OVERLAY技术家族的杰出代表，以其卓越的电气性能和坚固的物理结构，为您的工业级应用注入强大而稳定的动力核心。

想象一下，在变频器驱动、不间断电源(UPS)或者大功率开关电源中，每一次快速、精准的开关动作都关乎着系统的整体能效与稳定性。IRF640FP正是为此类严苛场景而生。其200V的漏源电压和高达18A的连续漏极电流承载能力，让它能够从容应对工业环境中的电压波动和负载冲击。更值得一提的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至180毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。无论是驱动电机、管理电源转换，还是作为高频开关，它都能确保能量以最“干净”、最“直接”的方式传递。

选择IRF640FP，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其采用的TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，确保在高达150°C结温下稳定工作，功率耗散可达40W，同时也兼顾了安装的便捷性与机械强度。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为许多经典方案升级或维护的优选。为确保您获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。让这颗凝聚了ST智慧结晶的功率开关，成为您构建高效、可靠电力电子系统的坚实基石，助您的产品在性能与耐用性上脱颖而出。

• 型号:IRF640FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1560 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• IRF640FP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。