IRF830

当您需要一款能够在高压环境下稳定工作、同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就藏在IRF830这颗经典的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效能电源系统、驱动电路或工业控制模块的坚实基石。源自ST意法半导体的PowerMESH技术平台，它以其卓越的电气性能和坚固的物理结构，在众多应用场景中证明了其持久价值。

想象一下，在开关电源的初级侧，或者在电机驱动、照明镇流器的核心位置，IRF830正默默承担着关键任务。它高达500V的漏源击穿电压，让您在设计面对市电整流后高压的电路时充满信心，有效抵御电压尖峰的冲击。4.5A的连续电流处理能力，配合仅1.5欧姆的低导通电阻，意味着它在导通时产生的热量更少，能量损耗更低，直接为您带来更高的系统整体效率和更简洁的散热设计。这种高效能转换，让您的产品在激烈的市场竞争中，拥有更低的运行成本和更长的使用寿命。

选择IRF830，就是选择了一份经过时间验证的可靠性。其TO-220AB封装不仅便于安装和散热，更以其工业级的坚固性著称。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其成为特定存量项目、经典设计延续或对长期稳定性有极高要求场景下的明智之选。通过值得信赖的ST中国代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装产品，确保您的设计意图得到百分百的贯彻。这颗芯片承载的，是ST对功率半导体性能边界的探索，也是帮助工程师将创意转化为稳定现实的有力工具。

• 型号:IRF830
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:610 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF830的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。