L6387ED013TR

想象一下，您的下一个电源转换或电机驱动项目，能否在更小的空间内实现更高的效率和更强的可靠性？这正是L6387ED013TR为您带来的核心价值。作为ST意法半导体在栅极驱动器领域的匠心之作，这颗芯片专为应对严苛的工业环境而生，其高达600V的自举电压能力和-45°C至125°C的宽广工作温度范围，意味着它能在各种复杂工况下稳定运行，为您的设计注入坚如磐石的信心。

无论是驱动工业电机、构建高效的开关电源，还是为家电产品赋予更智能的变频控制，L6387ED013TR都能游刃有余。它集成了两个独立的半桥驱动器，能够轻松驾驭IGBT和N沟道MOSFET，其高达650mA的拉电流和400mA的灌电流峰值输出能力，确保了开关动作的快速与精准，有效降低开关损耗，从而提升整个系统的能效。这意味着您的产品不仅能运行得更快、更安静，还能显著节省能源，在市场竞争中赢得绿色节能的先机。

选择L6387ED013TR，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它采用紧凑的8-SOIC封装，非常适合空间受限的现代电子设计，帮助您实现产品的小型化与高集成度。其反相输入逻辑与广泛的逻辑电压兼容性，让它与各种控制芯片的对接变得异常简单，大幅缩短您的开发周期。更重要的是，当您通过值得信赖的ST芯片代理获取这颗芯片时，您获得的不仅仅是一个高性能的元器件，更是一整套完整的技术支持与供应链保障，让您的创新之路畅通无阻。现在就为您的项目配备这颗驱动核心，体验效率与可靠性的双重飞跃。

• 型号:L6387ED013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6387ED013TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。