L6390D

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为驱动电路的复杂设计、开关损耗和安全隔离而烦恼？现在，一颗强大的心脏能让您的系统焕然新生。我们隆重介绍L6390D，这款来自ST意法半导体的高性能半桥栅极驱动器，正是您突破设计瓶颈、打造下一代高效能电源与电机驱动方案的理想之选。

想象一下，无论是工业变频器、服务器电源，还是不断电系统、太阳能逆变器，甚至是紧凑型家电的电机控制，L6390D都能以其卓越的性能稳定运行。它专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，高达600V的自举电压能力，让高压侧驱动轻松自如，彻底摆脱复杂隔离电源的束缚。其精准的75ns和35ns典型开关速度，意味着更低的开关损耗和更高的系统效率，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更低的能耗和更小的发热量脱颖而出。

选择L6390D，就是选择了一份从容与安心。它集成了强大的保护功能与卓越的驱动能力，峰值拉电流430mA和灌电流290mA，确保功率开关管快速、干净地导通与关断，大幅减少电压尖峰和电磁干扰。从-40°C到150°C的宽广结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能保证系统长期稳定运行。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST一级代理身份，确保您能获得正品保障与及时的专业服务，让您的创新之路毫无后顾之忧。

• 型号:L6390D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:16-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:16-SO
• L6390D的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。