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L6393D

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:14-SO
  • 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

L6393D参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中,您是否曾为栅极驱动的稳定性、响应速度和系统保护而烦恼?现在,让我们向您介绍一个卓越的解决方案L6393D。这款来自ST意法半导体的高性能半桥栅极驱动器,正是为应对严苛应用挑战而生,它将为您的电源转换、电机控制等系统注入强劲而智能的驱动力。

想象一下,在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效太阳能逆变器中,功率开关器件需要精准、快速且安全的开关动作。L6393D凭借其高达600V的自举电压能力和优异的抗噪性,能轻松驾驭高压侧功率管(如IGBT或MOSFET)的驱动任务,确保系统即使在复杂电磁环境下也能稳定运行。其非反相输入逻辑与微控制器无缝对接,让您的控制逻辑设计变得直观而简单。无论是驱动伺服电机实现精密运动控制,还是在开关电源中提升转换效率,它都能成为您系统中那颗可靠的核心。

选择L6393D,意味着您选择了一份来自顶尖半导体制造商的技术保障。它集成了强大的保护功能,如欠压锁定(UVLO),能有效防止功率管在异常电压下工作,极大提升了系统的鲁棒性和寿命。高达430mA的拉电流和290mA的灌电流峰值输出能力,确保了开关过程的快速性(典型上升/下降时间仅75ns/35ns),从而显著降低开关损耗,提升整体能效。其宽广的工作温度范围(-40°C至125°C)更能从容应对工业与汽车领域的极端环境。当您需要获取样品、技术支持或批量采购时,可以随时联系专业的ST代理商,他们将为您提供从选型到量产的全流程服务。让L6393D成为您下一款明星产品的强大心脏,共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

  • 型号:L6393D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:14-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:10V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:1.1V,1.9V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,430mA
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
  • 上升/下降时间(典型值):75ns,35ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:14-SO
  • L6393D的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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