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L6747A
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-VFDFPN(3x3)
- 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
L6747A参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中,您是否曾为驱动电路的复杂性和稳定性而困扰?今天,我们为您带来一个划时代的解决方案L6747A。这款来自ST意法半导体的高性能半桥栅极驱动器,正是为简化您的设计、提升系统性能而生。它不仅仅是一个驱动芯片,更是您实现高效、紧凑、可靠电源系统的强大引擎,让复杂的设计难题迎刃而解。
想象一下,在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中,L6747A正以其高达3.5A的峰值拉电流能力,精准、迅猛地驱动着功率MOSFET。它专为N沟道MOSFET设计,支持5V至12V的宽范围供电,逻辑兼容性极佳,确保与您的控制单元无缝对话。其高达41V的自举电压能力,为高压侧驱动提供了坚实的保障,让系统在严苛的工业环境下也能稳定运行,温度适应范围从0°C到125°C,从容应对各种挑战。选择它,意味着您选择了一个经过市场验证的可靠伙伴,即使面对已宣布停产的型号,通过我们专业的ST代理渠道,您依然能获得稳定的供应和全面的技术支持,确保项目生命周期无忧。
为何众多工程师在关键项目中信赖L6747A?答案在于它带来的综合价值。其紧凑的8-VFDFN表面贴装封装,极大地节省了宝贵的PCB空间,助力实现更小型化的产品设计。同步通道和反相输入逻辑的精心配置,简化了外围电路,降低了整体BOM成本和设计复杂度。无论是提升开关频率以减小无源元件尺寸,还是增强驱动能力以降低开关损耗,L6747A都能让您的产品在效率、功率密度和可靠性上脱颖而出。它不仅仅满足当下的需求,更为您的产品注入了面向未来的竞争力。
- 型号:L6747A
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-VFDFPN(3x3)
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:5V ~ 12V
- 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3.5A,-
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):41 V
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
- 供应商器件封装:8-VFDFPN(3x3)
- L6747A的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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