L6747C

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为驱动效率与布局空间而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出ST意法半导体的明星级栅极驱动器L6747C，它不仅仅是一颗芯片，更是您实现高性能、高可靠性电源设计的得力引擎。其高达3.5A的峰值拉电流驱动能力，能够以惊人的速度开启功率MOSFET，显著降低开关损耗，让您的系统从启动到满载都保持冷静与高效，将每一分电能都用在刀刃上。

想象一下，无论是服务器电源中需要精准同步的DC-DC转换，还是工业电机驱动里要求严苛的逆变桥臂，甚至是不断追求轻薄化的车载充电器，L6747C都能完美融入。它专为驱动N沟道MOSFET的半桥拓扑而优化，高达41V的自举电压使其轻松应对各种电压平台。其非反相输入逻辑与宽泛的逻辑电平兼容性，让它与主流控制器无缝对接，极大简化了您的设计流程。选择我们，您就选择了由专业ST代理提供的原装正品与全方位技术支持，确保您的项目从研发到量产一路畅通。

为何众多领先企业都将L6747C作为首选？因为它精准击中了工程师的核心诉求。在空间寸土寸金的8-VFDFN超薄封装内，它集成了强大的驱动与完善的保护特性，帮助您实现PCB布局的最大化精简。0°C至125°C的宽工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应力，无论是严寒还是酷热，性能始终稳定如一。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的设计与广泛的市场验证，使其成为特定高可靠性、长生命周期项目或库存优化方案的经典之选。它代表的是一种经久考验的可靠价值，是助您产品在市场中脱颖而出的隐形冠军。

• 型号:L6747C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-VFDFPN（3x3）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:5V ~ 12V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-VFDFPN（3x3）
• L6747C的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。