LET9060S

在追求极致无线连接性能的今天，您的基站或中继设备是否还在为功率放大器的效率、稳定性和集成度而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出ST意法半导体的射频功率解决方案新星LET9060S。这颗基于先进LDMOS工艺打造的射频功率MOSFET，专为挑战高性能极限而生，它将重新定义您在960MHz频段的应用体验，让每一次信号传输都充满力量与信心。

想象一下，在宏基站、微基站、中继放大器乃至专用移动无线电系统中，LET9060S正以其高达60W的强劲输出功率和17.2dB的卓越增益，成为信号链路上的核心引擎。它能在28V的工作电压下稳定输出，轻松应对严苛的户外环境与持续的高负荷工作，确保覆盖范围更广，信号质量更清晰、更稳定。无论是城市楼宇的复杂穿透，还是偏远地区的远距离覆盖，它都能提供坚实可靠的射频动力支持，让您的网络部署无后顾之忧。

选择LET9060S，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。其PowerSO-10RF封装不仅提供了优异的散热性能，裸露的底部焊盘设计更能实现高效的热管理，确保芯片在长时间大功率运行时依然保持冷静。高达80V的额定电压赋予了它强大的过压承受能力，而12A的额定电流则保证了充沛的驱动能力。这一切精心的设计，都旨在降低您的系统设计复杂度，提升整体能效与可靠性。作为值得信赖的ST一级代理，我们不仅提供原装正品，更提供专业的技术支持与供应链保障，助您将这颗高性能芯片的价值发挥到极致，快速抢占市场先机。

• 型号:LET9060S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:960MHz
• 增益:17.2dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:12A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:60W
• 电压 - 额定:80 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• LET9060S的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。