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M48Z35Y-70MH1E

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:28-SOH
  • 技术参数:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28SOH
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

M48Z35Y-70MH1E参数详情:

在数据驱动的时代,您的关键系统是否曾因意外断电而丢失宝贵数据?当瞬间的电力波动成为可靠性的最大威胁时,您需要的不仅是一份备份,而是一种无缝的、零延迟的守护。M48Z35Y-70MH1E正是为此而生。这款来自ST意法半导体的非易失性SRAM(NVSRAM),完美融合了SRAM的高速读写性能与断电后数据永固的可靠性,为您构建坚不可摧的数据堡垒。它70ns的极速访问时间,意味着数据存取几乎无需等待,让您的系统性能始终在线,而内置的锂电池备份机制,则确保在任何突发断电的瞬间,数据都能被自动、完整地保存下来,真正做到万无一失。

想象一下,在工业自动化产线上,机械臂的每一个精确位置数据都至关重要;在金融交易系统中,每一笔订单信息都关乎重大利益;在医疗监护设备里,患者的实时生命体征记录不容有失。这些正是M48Z35Y-70MH1E大展身手的舞台。其256Kb(32K x 8)的存储容量,足以容纳大量关键参数和日志;并联接口提供了简单直接的高速数据通道;4.5V至5.5V的宽电压供电范围,则能轻松适配多种主流工业电源环境。无论是面对严苛的0°C至70°C工作温度,还是需要表面贴装的紧凑空间,它都能稳定服役,成为您核心系统中那个沉默却最可信赖的伙伴。

选择M48Z35Y-70MH1E,就是选择一份安心的保障和极致的效率。它消除了传统方案中“高速SRAM+外部EEPROM+复杂管理电路”的繁琐与延迟风险,以单芯片解决方案简化您的设计,降低整体BOM成本和系统复杂度。虽然该型号已处于停产状态,但其卓越的设计和可靠性在存量市场和特定延续性项目中依然价值非凡。通过与值得信赖的ST代理合作,您依然可以获取高质量的货源和专业的技术支持,确保您的经典设计或现有设备维护无忧。让M48Z35Y-70MH1E守护您系统中最重要的数据,将不确定性彻底转化为运行的确定性,助力您的产品在市场中赢得持久的口碑与信任。

  • 型号:M48Z35Y-70MH1E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:28-SOH
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28SOH
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:NVSRAM
  • 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:70ns
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:带 SNAPHAT 插座的 28-SOP(0.350,8.89mm 宽)
  • 供应商器件封装:28-SOH
  • M48Z35Y-70MH1E的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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