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    NAND01GW3B2AN6E
  • 制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
  • 类别封装：存储器，产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
  • 技术参数：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：NAND01GW3B2AN6E
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
  • 产品系列：存储器
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • 零件状态：停产
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：闪存 - NAND
  • 存储容量：1Gb（128M x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：-
  • 写周期时间-字，页：30ns
  • 访问时间：30ns
  • 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
  • NAND01GW3B2AN6E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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