NAND512R3A2AZA6E

在数据爆炸的时代，您的嵌入式系统是否还在为存储空间不足、读写速度跟不上而烦恼？想象一下，一个仅需1.7V至1.95V超低电压驱动的存储核心，却能提供高达512Mb的可靠容量，这就是NAND512R3A2AZA6E为您带来的变革性体验。它不仅仅是一颗闪存芯片，更是您产品性能飞跃的基石，以其卓越的并行接口和60ns的极速访问时间，让数据吞吐变得前所未有的流畅。

无论是工业自动化中需要实时记录大量传感器数据的控制单元，还是消费电子设备中承载操作系统与用户文件的存储模块，NAND512R3A2AZA6E都能游刃有余。它在-40°C到85°C的严苛温度范围内稳定工作，确保户外设备、车载系统在极端环境下依然数据无忧。其55-TFBGA的紧凑封装，为空间受限的便携式设备设计提供了极大的灵活性，让您的产品在轻薄化的同时，不失强大的数据心脏。

选择NAND512R3A2AZA6E，就是选择了一份来自ST意法半导体的品质承诺与成熟技术积淀。尽管该型号已处于停产状态，但其经过市场充分验证的可靠性和出色的性能参数，使其成为特定存量项目或对长期稳定性有极高要求应用的理想之选。通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取这颗经典芯片，为您的成熟产品线提供持续、稳定的供应保障。它代表的是一种经久耐用的价值，让您的设计免去重新适配新芯片的研发风险与成本，直接沿用经过考验的解决方案，高效、稳妥地推向市场。

• 型号:NAND512R3A2AZA6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:55-VFBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 55VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:60 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:55-TFBGA
• 供应商器件封装:55-VFBGA（8x10）
• NAND512R3A2AZA6E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。