PD20010STR-E

在追求极致射频性能的赛道上，您的设计是否曾因功率放大器的效率瓶颈而停滞不前？当信号需要被清晰、有力地放大，以穿透复杂环境或覆盖更广范围时，一颗可靠且高效的射频功率MOSFET就是决定成败的关键。现在，让我们向您介绍一个经过市场验证的卓越解决方案PD20010STR-E。这款来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，以其高达10W的输出功率和2GHz的工作频率，专为那些对性能有严苛要求的应用而生，是您提升产品竞争力的得力助手。

想象一下，在专业的移动通信基站、高性能的射频测试设备，或是需要稳定大功率输出的无线通信模块中，PD20010STR-E正发挥着核心作用。它能在13.6V的典型工作电压下，提供高达11dB的增益，这意味着您的信号能够被更有效地放大，从而确保通信链路更稳定、传输距离更远。其40V的高额定电压和5A的额定电流能力，赋予了它出色的鲁棒性和可靠性，即使在复杂的电磁环境或波动的供电条件下，也能保持稳定的性能输出，让您的终端产品在各种严苛场景下都值得信赖。

选择PD20010STR-E，不仅仅是选择了一颗高性能的芯片，更是选择了一个经过时间考验的成熟技术平台。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和卓越的可靠性已在过往的大量应用中得到了充分验证。对于许多现有产品的维护、升级或特定批量的生产需求而言，它依然是极具价值的选择。通过专业的ST代理商，您依然可以获取到可靠的货源和技术支持，确保您的项目供应链稳定无忧。其采用的PowerSO-10RF封装，不仅提供了优异的散热性能（得益于裸露的底部焊盘），还兼顾了PCB布局的便利性，让您的设计工作更加高效顺畅。让这颗凝聚了ST尖端LDMOS技术的射频利器，为您的下一个成功项目注入强大动力。

• 型号:PD20010STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD20010STR-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。