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PD54008TR-E供应商
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PD54008TR-E
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:PowerSO-10RF(成形引线)
- 技术参数:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
PD54008TR-E参数详情:
在追求更高性能、更稳定信号的射频应用领域,您是否正在寻找一款能够兼顾功率与效率的可靠解决方案?今天,我们为您带来一款能够重新定义射频功率放大可能性的明星产品PD54008TR-E。这款来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管,以其卓越的8W输出功率和高达11.5dB的增益,为您的设计注入强劲动力。它不仅仅是一个元件,更是您实现产品性能飞跃、赢得市场竞争的关键伙伴。
想象一下,在基站、中继器或专业通信设备中,信号需要被清晰、稳定且高效地放大与传输。PD54008TR-E正是为此而生。它工作在500MHz的频段,提供高达8W的强劲输出,确保信号覆盖更广、穿透力更强。其高达25V的额定电压和5A的额定电流能力,赋予了它出色的鲁棒性和可靠性,即使在严苛的工作环境下也能稳定运行,让您的设备告别信号微弱或不稳定的烦恼。选择它,意味着为您的系统选择了一个值得信赖的“功率心脏”。
那么,在众多射频器件中,为何PD54008TR-E能脱颖而出?其核心优势在于ST意法半导体先进的LDMOS技术,这种技术带来了优异的线性度和功率附加效率。在7.5V的测试电压下,仅需150mA的测试电流,它就能发挥出卓越性能,这意味着更低的功耗和更少的热量产生,直接帮助您优化系统能效和散热设计。其采用的PowerSO-10RF封装,不仅体积紧凑,还带有裸露的底部焊盘,极大地提升了散热能力,让功率输出更加持久稳定。我们作为专业的ST授权代理,确保您能获得原装正品和全面的技术支持,让您的产品从设计到量产一路畅通。选择PD54008TR-E,就是选择了一个经过市场验证的高性能、高可靠性解决方案,它将助力您的产品在激烈的市场竞争中占据先机,赢得用户的信赖。
- 型号:PD54008TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF(成形引线)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:11.5dB
- 电压 - 测试:7.5 V
- 额定电流(安培):5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:8W
- 电压 - 额定:25 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF(成形引线)
- PD54008TR-E的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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