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PD55025
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:10-PowerSO
- 技术参数:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
PD55025参数详情:
在追求极致射频性能的赛道上,您的下一个设计是否正被功率、效率和可靠性的平衡所困扰?想象一下,一款能在500MHz高频段稳定输出25W功率,同时保持卓越线性度的解决方案,将如何彻底改变您的基站、广播或工业射频系统?今天,我们为您带来的正是这样一款定义行业标杆的射频功率放大器PD55025。它不仅仅是一个组件,更是您释放产品潜能、赢得市场竞争的关键引擎。
源自ST意法半导体的深厚技术积淀,PD55025采用先进的LDMOS晶体管技术,在40V的额定电压下,实现了高达14.5dB的增益与7A的额定电流能力。这意味着在广播发射、陆地移动无线电、甚高频通信等严苛的应用场景中,它能轻松驾驭高功率信号放大任务,确保信号纯净、传输距离更远、覆盖更稳定。无论是城市密集区的信号补盲,还是偏远地区的广域覆盖,它都能提供坚实可靠的射频心脏。当您需要稳定、高效的射频前端解决方案时,选择与专业的ST代理商合作,是确保获得正品货源与技术支持的明智之举。
为何众多领先厂商在关键项目中持续信赖PD55025?答案在于其无与伦比的综合价值。PowerSO-10封装结合裸露底部焊盘设计,不仅优化了散热性能,提升了长期工作的可靠性,也为您的PCB布局提供了更大的灵活性,简化了热管理设计。尽管该型号已进入停产状态,但其成熟的设计、经过市场长期验证的卓越性能,以及仍在流通的库存,使其成为许多经典设计升级或特定项目需求的绝佳选择。它代表了一个时代的性能巅峰,选择它,就是选择了一份经过淬炼的可靠性与卓越的性能传承,让您的产品在激烈的市场中稳操胜券。
- 型号:PD55025
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:14.5dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流(安培):7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:200 mA
- 功率 - 输出:25W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- PD55025的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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