PD55025TR-E

在追求极致信号覆盖与稳定传输的无线通信世界，您是否正在寻找一颗能在高频段稳定输出、同时兼顾效率与可靠性的射频功率放大器核心？答案就在PD55025TR-E。这颗由ST意法半导体精心打造的LDMOS射频功率晶体管，专为挑战500MHz及邻近频段的高性能应用而生，它不仅仅是一个元件，更是您系统实现卓越无线性能的基石。

想象一下，在专业移动无线电、甚高频通信基站或工业射频能量应用中，稳定、纯净且强大的信号输出至关重要。PD55025TR-E凭借其高达25W的射频输出功率和14.5dB的出色增益，能够显著提升系统的覆盖范围和信号质量，让您的设备在复杂环境中依然保持清晰、有力的通信链路。其高达40V的额定电压和7A的电流承载能力，意味着它拥有强大的鲁棒性和宽广的动态工作范围，轻松应对各种严苛的供电条件和负载变化。

选择PD55025TR-E，就是选择了一份来自ST原厂的品质保证与性能承诺。其先进的PowerSO-10RF封装不仅优化了散热性能，裸露的底部焊盘设计更能确保高效的热管理，让芯片在长时间高负荷运行时依然保持冷静，从而延长整个系统的使用寿命。无论是用于升级现有设备还是开发新一代通信产品，它都能为您提供坚实的硬件支持。为确保您能获得稳定、可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这将是您项目成功的有力保障。

• 型号:PD55025TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:14.5dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:25W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD55025TR-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。