PD55035-E

在追求极致射频性能的赛道上，您是否还在为功率、效率和稳定性的平衡而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出PD55035-E，这颗源自ST意法半导体的射频功放明星，以其高达35W的输出功率和500MHz的工作频率，为您打开通往高性能射频设计的新大门。它不仅仅是一个组件，更是您产品在激烈竞争中脱颖而出的能量核心。

想象一下，在专业通信基站、工业射频加热设备或高要求的测试测量仪器中，信号的纯净与强大直接决定了系统的成败。PD55035-E正是为此类严苛场景而生。其采用的LDMOS技术，在12.5V工作电压下，能稳定输出高达35W的功率，同时保持16.9dB的卓越增益，这意味着您的设备能以更低的输入驱动获得更强劲、更清晰的信号输出。无论是确保远距离通信的可靠性，还是实现精准高效的能源控制，它都能游刃有余，成为系统背后沉默而强大的支柱。

选择PD55035-E，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。虽然它已处于停产状态，但其经典的性能参数和广泛的应用验证，使其成为存量项目升级或特定高端应用领域的珍贵之选。其PowerSO-10RF封装配合裸露的底部焊盘，不仅提供了优异的散热性能，确保了在7A额定电流下的长期运行稳定性，也为您的PCB布局设计带来了便利。更重要的是，通过我们专业的ST授权代理，您不仅能获得正品保障和可靠的供货渠道，还能得到深度的技术支持和选型指导。让这颗凝聚了ST尖端技术的射频FET，为您的下一个创新项目注入澎湃动力与十足信心。

• 型号:PD55035-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:16.9dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:35W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD55035-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。