PD57002-E

在追求极致射频性能的赛道上，您是否还在为寻找一款兼具高功率、高增益与可靠性的LDMOS晶体管而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案PD57002-E。这款由ST意法半导体精心打造的射频功率器件，虽然已进入停产阶段，但其卓越的性能指标和广泛的应用适配性，使其成为特定高端应用和库存备货的珍贵选择，尤其适合对稳定性和性能有严苛要求的项目。

想象一下，在960MHz这个关键的通信频段上，您的设备需要稳定输出高达2W的功率，同时还要保持15dB的出色增益，以确保信号传输的清晰与强劲。PD57002-E正是为此而生。它高达65V的额定电压和28V的测试电压，赋予了它强大的耐压能力和工作余量，让您的系统在面对复杂电磁环境或电压波动时，依然能稳如磐石。其PowerSO-10封装配合裸露的底部焊盘，不仅优化了散热性能，也为紧凑型高性能设计提供了可能，是基站射频单元、专业通信设备、工业射频源等应用的理想心脏。

选择PD57002-E，不仅仅是选择了一颗参数优秀的芯片，更是选择了一份源自ST意法半导体的品质承诺和一份经过时间考验的设计遗产。对于正在维护或升级现有系统的工程师而言，这颗芯片意味着设计的延续性和备件的可靠性。我们作为值得信赖的ST一级代理，能够为您提供关于这颗经典器件的专业选型支持与可靠的供货渠道，确保您的关键项目不会因元器件问题而停滞。让这颗经典的LDMOS射频功率管，继续为您的创新注入稳定而强大的动力。

• 型号:PD57002-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:960MHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:250mA
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:10 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57002-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。