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PD57006-E
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:PowerSO-10RF(成形引线)
- 技术参数:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
PD57006-E参数详情:
在追求极致射频性能的赛道上,您的设备是否还在为功率、效率和稳定性的平衡而妥协?今天,我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案PD57006-E。这款由ST意法半导体精心打造的LDMOS射频功率晶体管,以其65V的高额定电压和6W的强劲输出功率,在945MHz频段上树立了性能标杆。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品竞争力的核心引擎,让您的设计在起跑线上就领先一步。
想象一下,在专业的无线通信基站、高要求的射频功放模块,或是需要稳定大功率输出的工业射频应用中,PD57006-E正是那颗能够扛起大梁的“心脏”。它高达15dB的增益,意味着您的信号能够被更有效地放大,显著提升系统的整体链路预算和覆盖范围。而28V工作电压下仅70mA的测试电流,则展现了其在提供强大动力的同时,对能耗的精妙控制,帮助您的终端产品在性能和能效之间找到黄金平衡点。
选择PD57006-E,就是选择了一份源自顶尖半导体制造商的技术遗产与可靠性承诺。尽管该型号目前已停产,但其卓越的设计和久经考验的性能,使其成为特定高端应用或现有系统维护、升级的珍贵之选。通过我们值得信赖的ST授权代理,您依然可以获取到原装正品,确保您的项目获得与最初设计完全一致的性能表现。PowerSO-10RF的封装形式兼顾了优异的散热能力和紧凑的占板空间,让您的PCB布局更加游刃有余。当您需要一颗在关键频点上表现稳定、动力澎湃的射频功率器件时,PD57006-E无疑是经过时间淬炼的明智之选。
- 型号:PD57006-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF(成形引线)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:15dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流(安培):1A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:70 mA
- 功率 - 输出:6W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF(成形引线)
- PD57006-E的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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