PD57018TR-E

在追求极致无线连接性能的今天，您的射频功率放大方案是否还在为效率、稳定性和集成度而妥协？想象一下，一款能在945MHz频段下，以高达18W的稳定输出功率，为您带来清晰、强劲且可靠的信号覆盖的解决方案，这将是怎样的体验？现在，这一切已不再是想象。PD57018TR-E正是为此而生，它不仅仅是一颗射频功率晶体管，更是您撬动高性能无线应用市场的关键支点。

这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，天生就为挑战严苛的应用环境而来。其高达16.5dB的增益，意味着您可以用更简洁的前级驱动电路，获得同样强劲的输出信号，有效简化系统设计，降低成本。无论是基站射频单元、工业无线通信链路，还是需要高可靠性的专业射频设备，PD57018TR-E都能凭借其卓越的功率处理能力和65V的高额定电压，确保系统在复杂工况下稳定运行，大幅提升终端产品的市场竞争力。

选择PD57018TR-E，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其先进的PowerSO-10RF封装不仅提供了优异的散热性能，裸露的底部焊盘设计更能让热量快速导出，确保芯片在长时间满负荷工作时依然保持“冷静”，这对于提升产品寿命和可靠性至关重要。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅能为您提供原装正品和具有竞争力的价格，更能带来专业的技术支持和快捷的供货服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。当您需要一款能同时兼顾高性能、高可靠性和出色性价比的射频功率核心时，PD57018TR-E无疑是您最明智、最值得信赖的选择。

• 型号:PD57018TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:18W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD57018TR-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。