PD57045S-E

在追求极致射频性能的赛道上，您的设备是否曾因功率瓶颈而止步不前？想象一下，在关键的945MHz频段，将输出功率一举提升至45W，同时保持卓越的线性度与效率，这将是怎样的性能飞跃？今天，我们为您带来的PD57045S-E，正是这样一款专为挑战高性能极限而生的LDMOS射频功率晶体管，它源自ST意法半导体的精湛工艺，旨在重新定义您对功率放大器的期待。

这颗芯片的核心价值，在于其强悍而稳定的功率输出能力。在28V的工作电压下，它能持续输出高达45W的射频功率，并辅以14.5dB的优秀增益，这意味着您的系统前端只需更小的驱动信号，就能获得强劲的最终输出，极大地简化了驱动级设计并提升了整体效率。其高达65V的额定电压，提供了充裕的电压余量，确保设备在复杂工况下的可靠性与长寿命。无论是构建新一代的基站功放单元，还是驱动专业的射频测试与通信设备，PD57045S-E都能成为您系统中坚不可摧的“动力心脏”，让信号覆盖更远、更清晰、更稳定。

选择PD57045S-E，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一份来自顶尖原厂的品质保障与技术支持。我们作为值得信赖的ST授权代理，确保您获得的每一颗芯片都源自正规渠道，品质纯正。其PowerSO-10封装结合裸露底部焊盘的设计，在提供优异散热性能的同时，也兼顾了PCB布局的灵活性，让您的热管理和结构设计更加游刃有余。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、久经考验的可靠性以及在特定高端应用中的不可替代性，使其成为存量项目升级或追求极致稳定性的不二之选。让我们携手，用这颗凝聚了ST尖端技术的射频利器，为您的产品注入澎湃动力，在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:PD57045S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:45W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD57045S-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。