PD57060S-E

在追求极致射频功率与稳定性的道路上，您是否曾为寻找一颗能在高频段稳定输出大功率、同时保持高效率的“心脏”而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体精心打造的射频功率解决方案PD57060S-E。这颗基于先进LDMOS技术的射频功率晶体管，专为挑战945MHz高频应用而设计，其高达60W的输出功率和14.3dB的卓越增益，意味着它不仅能轻松驱动您的系统，更能将信号清晰、强劲地传递到更远的地方，彻底告别信号衰减的烦恼。

想象一下，在专业的通信基站、广播发射系统或工业射频加热设备中，稳定与可靠是生命线。PD57060S-E正是为此而生。它65V的高额定电压和28V的测试电压，赋予了其强大的耐压能力和宽广的工作窗口，即使在复杂的电网环境或突发浪涌下也能稳如磐石。其7A的额定电流确保了充沛的功率吞吐能力，让您的设备在满负荷运行时依然游刃有余。无论是构建新一代的无线基础设施，还是升级现有的高功率射频设备，这颗芯片都能成为您系统中最值得信赖的动力核心。

选择PD57060S-E，就是选择了一份由顶尖工艺保障的性能承诺。PowerSO-10封装配合裸露的底部焊盘，不仅优化了散热路径，确保芯片在长时间大功率工作时温度可控，也简化了您的PCB设计和生产流程。这颗“有源”状态的明星产品，代表着即时的可用性与持续的技术支持。当您需要获取这款性能利器或寻求专业的技术咨询时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。别再犹豫，让PD57060S-E为您的下一个射频功率项目注入强大、高效且稳定的灵魂，共同开启无线连接的新篇章。

• 型号:PD57060S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14.3dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:60W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD57060S-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。