PD84008S-E

在追求极致无线连接性能的今天，您的射频功率放大方案是否还在为效率、增益与稳定性的平衡而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出ST意法半导体的射频功率解决方案PD84008S-E，这颗专为高性能射频前端设计的N沟道MOSFET，将彻底改变您对功率放大器的期待。它不仅仅是一个晶体管，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的秘密武器。

想象一下，在870MHz这个关键的通信频段上，您的设备能够稳定输出高达2W的功率，同时获得16.2dB的卓越增益，这意味着更远的传输距离、更清晰的信号质量和更可靠的连接。无论是专业的无线通信基站、需要稳定数据链路的工业遥控设备，还是对性能有严苛要求的测试测量仪器，PD84008S-E都能轻松胜任，为您的核心应用注入强劲动力。其7.5V的测试电压和25V的额定电压设计，确保了在复杂工况下的出色适应性和长期可靠性。

选择PD84008S-E，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与稳定品质。ST意法半导体作为全球半导体领袖，其产品以高可靠性和一致性著称。尽管该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高端或存量项目升级的绝佳选择。通过我们专业的ST一级代理，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到从技术选型到供应链支持的全方位服务。让这颗凝聚了尖端射频技术的芯片，成为您打造下一代无线产品的坚实基石，助力您的创意无限延伸，业务高效增长。

• 型号:PD84008S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 通道
• 频率:870MHz
• 增益:16.2dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD84008S-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。