PD84010TR-E

在追求极致射频性能的赛道上，您的系统是否还在为功率、效率和稳定性的平衡而苦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出ST意法半导体的射频功率解决方案明星PD84010TR-E，这颗专为严苛应用而生的LDMOS射频晶体管，将重新定义您在870MHz频段的性能期待。它不仅仅是一个组件，更是您产品实现突破性竞争力的强大引擎。

想象一下，在专业的无线通信基站、高要求的射频功放模块或是需要稳定大功率输出的工业传感系统中，PD84010TR-E能够轻松驾驭。其高达2W的功率输出和16.3dB的卓越增益，意味着您的设备能够传得更远、信号更清晰、覆盖更稳定。无论是应对复杂的城市环境，还是满足偏远地区的覆盖需求，它都能提供坚实可靠的射频动力核心，确保通信链路坚如磐石。

选择PD84010TR-E，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它采用先进的LDMOS技术，在40V的高额定电压下工作，展现出优异的线性度和功率处理能力。PowerSO-10RF的封装设计不仅提供了出色的散热性能，裸露的底部焊盘更便于实现高效的热管理，确保芯片在长时间高负荷运行下依然保持冷静与稳定。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得经过严格质量把控的库存，为您的现有产品维护或特定项目开发提供关键支持。这不仅仅是一次元器件采购，更是为您的产品注入一份历久弥坚的核心价值。

• 型号:PD84010TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16.3dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:8A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD84010TR-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。