PD85025-E

在追求极致无线通信性能的道路上，您是否正在寻找一颗能在870MHz频段提供强劲、稳定且高效功率放大的核心引擎？答案就在这里。我们隆重向您推荐由ST意法半导体原厂设计、我们作为ST授权代理为您带来的卓越射频功率解决方案PD85025-E。这颗专为严苛射频应用而生的LDMOS晶体管，不仅仅是参数的堆砌，更是性能与可靠性的完美承诺。

想象一下，在专业移动无线电、基站放大器或任何需要高功率输出的870MHz系统中，PD85025-E如同一位不知疲倦的“信号巨人”。它能在13.6V的工作电压下，稳定输出高达10W的射频功率，同时提供17.3dB的卓越增益，这意味着您的系统前端只需微弱的驱动信号，就能在后端获得强大而纯净的放大输出，极大地简化了驱动级设计，并提升了整个链路的效率。其高达40V的额定电压和7A的额定电流能力，为系统提供了宽裕的安全余量和应对突发状况的坚固保障，确保在复杂多变的现场环境中依然稳定如山。

选择PD85025-E，就是选择了一份来自ST原厂的品质背书与我们专业服务的双重保障。其采用的PowerSO-10RF封装并带有裸露底部焊盘，不仅优化了高频性能，更极大地提升了散热效率，让芯片在高功率运行时依然保持“冷静”，从而延长设备寿命，降低维护成本。无论是用于升级现有设备性能，还是作为新项目的核心射频单元，它都能让您的产品在竞争中脱颖而出，以更清晰的信号、更远的覆盖和更可靠的连接赢得市场。现在就让它成为您下一个成功产品的强大心脏吧！

• 型号:PD85025-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17.3dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD85025-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。