PD85025S-E

在追求极致射频性能的竞技场上，您是否还在为寻找一款能在870MHz频段稳定输出10W功率，同时保持高增益和可靠性的解决方案而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出ST意法半导体的射频功率明星PD85025S-E。这款采用先进LDMOS技术的射频MOSFET，专为苛刻的射频放大应用而生，其高达17.3dB的增益和40V的额定电压，意味着它能够将微弱的信号清晰、有力地放大，为您系统的“最后一公里”传输注入强劲动力。

想象一下，在专业的无线通信基站、广播发射设备或工业射频加热系统中，信号的纯净度与功率的稳定性直接决定了最终效果与用户体验。PD85025S-E正是为此类场景量身打造。它在13.6V的典型工作电压下，能以高达7A的额定电流稳健运行，确保在870MHz这个关键频点上，持续输出10W的强劲功率。无论是增强信号覆盖范围，还是驱动后续功率级，这颗芯片都能成为您系统中坚如磐石的核心引擎。其PowerSO-10封装配合裸露底部焊盘设计，不仅优化了散热性能，也为紧凑型高功率密度设计提供了可能。

选择PD85025S-E，就是选择了一份源自ST意法半导体的品质承诺与性能保障。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的设计与久经考验的可靠性，使其在特定存量市场与高要求应用中依然极具价值。对于需要此型号进行产品维护、升级或特定项目开发的工程师而言，通过可靠的ST代理渠道获取原装正品，是确保项目成功与长期稳定性的关键一步。它不仅仅是一个元件，更是您构建强大、高效射频系统的信心基石，让您在激烈的技术竞争中，凭借稳定出众的信号处理能力脱颖而出。

• 型号:PD85025S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17.3dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD85025S-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。