SCT30N120H

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为传统硅基器件的效率瓶颈和散热难题而困扰？当系统效率每提升1%都意味着巨大的商业价值时，选择一款革命性的功率开关器件，就是为您的产品注入决胜未来的核心动力。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的新一代功率解决方案SCT30N120H，这颗基于尖端碳化硅（SiC）技术的功率MOSFET，将彻底改变您对高压、高频、高效应用的想象。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，SCT30N120H凭借其1200V的超高耐压和极低的开关损耗，能让充电系统以更高的频率运行，从而大幅缩小磁性元件的体积和重量，实现更快的充电速度和更紧凑的整车布局。在光伏逆变器和UPS不间断电源领域，其高达200°C的结温工作能力和卓越的导通电阻表现，意味着系统可以在更严苛的环境下稳定运行，减少散热需求，提升功率密度，让您的设备在竞争中脱颖而出。无论是服务器电源、工业电机驱动还是储能系统，这颗芯片都能成为您提升产品性能、降低系统总成本的秘密武器。

选择SCT30N120H，就是选择了一份面向未来的技术保障。它不仅仅是一个参数优秀的晶体管，更是ST在宽禁带半导体领域深厚技术积淀的结晶。其SiCFET技术带来了近乎零的反向恢复电荷，显著降低了开关噪声和EMI干扰，让您的设计更简洁，系统更安静、更可靠。高达40A的连续漏极电流和270W的强大功率处理能力，配合H2PAK-2封装优异的散热特性，为您构建高功率密度、高可靠性的平台提供了坚实基石。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务，确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为市场领先的产品。

• 型号:SCT30N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• SCT30N120H的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。