SCT50N120

当您的下一代电源系统设计面临效率瓶颈、散热挑战和空间限制时，您是否在寻找一个能够打破传统硅基器件性能天花板的解决方案？答案就在这颗革命性的功率器件中。我们隆重向您介绍意法半导体（STMicroelectronics）的SCT50N120，一款基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率FET。它不仅仅是一个组件，更是您实现系统级飞跃的关键引擎，将能效、功率密度和可靠性提升至前所未有的高度。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，SCT50N120凭借其1200V的超高耐压和65A的强大电流能力，能够轻松应对高压电池包的快速充电需求。其极低的导通损耗和开关损耗，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，从而显著提升整机效率，延长续航里程。同样，在工业伺服驱动、光伏逆变器或UPS不间断电源中，这颗芯片都能让您的设备在严苛环境下稳定运行，以更小的体积和更轻的重量，输出更纯净、更强大的电能。它完美适配那些对效率、功率密度和长期可靠性有着极致追求的应用场景。

选择SCT50N120，就是选择站在技术浪潮之巅。其采用的SiCFET技术，相比传统硅基IGBT或MOSFET，具有更低的开关损耗、更高的工作频率和更优异的高温特性。这意味着您的系统可以设计得更紧凑，散热器更小，整体成本得到优化，同时性能却大幅提升。高达200°C的结温工作能力，赋予了它无与伦比的鲁棒性。无论您是资深工程师还是项目决策者，这颗芯片都能为您带来实实在在的竞争优势。如需获取官方技术支持和样品，欢迎联系我们的ST中国代理，他们将为您提供专业、高效的服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:SCT50N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 40A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:318W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT50N120的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。