SCTW90N65G2V

想象一下，您的下一代电源系统能否在效率与功率密度上实现双重突破？当传统硅基MOSFET的性能瓶颈日益凸显，SCTW90N65G2V的出现，正是为了回答这个挑战。它不仅仅是一颗晶体管，更是基于意法半导体前沿碳化硅（SiC）技术的性能引擎，将650V的耐压能力与高达90A的连续电流承载能力融为一体，为您开启高效能设计的新纪元。

无论是追求极致效率的服务器电源、工业变频器，还是对功率密度和可靠性要求严苛的新能源汽车车载充电机（OBC）与光伏逆变器，SCTW90N65G2V都能游刃有余。其卓越的开关特性与低导通电阻，意味着在相同功率等级下，系统产生的热量更少，散热设计可以更简化，从而让您的整机体积更紧凑，运行更安静、更可靠。这直接转化为产品在市场上的核心竞争力更低的运营成本、更长的使用寿命以及更小的空间占用。

选择SCTW90N65G2V，就是选择站在技术演进的前沿。其极低的栅极电荷和输入电容，让开关损耗大幅降低，轻松实现更高频率的开关操作，这不仅提升了整体能效，还允许使用更小、更轻量的磁性元件。从-55°C到200°C的宽广工作结温范围，配合HiP247封装出色的热管理能力，确保了它在最严苛环境下的稳定表现。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，遍布全球的ST代理商网络将是您坚实的后盾。让SCTW90N65G2V成为您撬动高效能源未来的杠杆，把先进的碳化硅性能，轻松转化为您产品的实际市场优势。

• 型号:SCTW90N65G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 90A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:157 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTW90N65G2V的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。