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SD1275-01

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管,封装:M113
  • 技术参数:RF TRANS NPN 16V M113
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

SD1275-01参数详情:

在追求极致射频性能的道路上,您是否曾为寻找一颗兼具高功率与稳定增益的射频晶体管而反复权衡?现在,答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍SD1275-01,这颗源自ST意法半导体卓越工艺的射频NPN晶体管,正是为突破性能瓶颈、简化设计挑战而生的强大引擎。它不仅仅是一个电子元件,更是您构建高效、可靠射频系统的信心基石。

想象一下,在您的UHF/VHF功率放大器、高频驱动级或专业通信设备中,一颗核心器件需要承载高达8A的集电极电流,并稳定输出70W的强劲功率,同时还要在关键频段提供清晰、放大的信号。这正是SD1275-01大显身手的舞台。其高达9dB的增益,意味着它能将微弱的输入信号高效放大,显著提升系统的信噪比和覆盖范围,让您的设备在复杂的电磁环境中依然保持清晰、有力的通信链路。无论是基站设备、广播发射机,还是工业射频加热、医疗成像等对功率和稳定性有严苛要求的领域,它都能游刃有余,成为驱动系统前行的核心动力。

选择SD1275-01,意味着您选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能的传承。尽管其零件状态已标注为停产,但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的应用历史,在许多现有系统和备件替换市场中,它依然是不可或缺的关键选择。其表面贴装(M113封装)形式,便于集成到高密度的现代电路板设计中,简化生产流程。高达16V的集射极击穿电压和稳定的直流电流增益(hFE最小值20 @ 250mA, 5V),为您的设计提供了宽裕的安全边际和一致的性能表现。当您需要为经典设计寻找可靠的核心射频放大方案时,通过专业的ST中国代理获取这颗芯片,无疑是确保供应链稳定与产品品质的明智之举。让SD1275-01以其久经考验的卓越性能,为您的下一个射频项目注入强大而稳定的能量。

  • 型号:SD1275-01
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:M113
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 16V M113
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):16V
  • 频率 - 跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-
  • 增益:9dB
  • 功率 - 最大值:70W
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 250mA,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:M113
  • 供应商器件封装:M113
  • SD1275-01的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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