SD1731

在追求极致射频性能的赛道上，您的设计是否曾因功率瓶颈而停滞不前？想象一下，一颗能够稳定承载20A电流、在高达200°C的严苛环境下依然坚如磐石的射频晶体管，将如何彻底释放您系统的潜能？今天，我们为您带来的SD1731，正是这样一款为挑战极限而生的射频功率解决方案。

源自ST意法半导体的卓越基因，SD1731以其高达233W的惊人功率处理能力，瞬间将您的射频应用推升至新的高度。无论是需要强大驱动力的工业射频加热设备，还是对稳定性和功率密度有严苛要求的通信基站功放模块，这颗芯片都能游刃有余地成为系统的“心脏”。其55V的高集射极击穿电压，为您的设计提供了宽裕的安全边际，确保在复杂多变的工况下，系统依然稳定可靠，大幅降低了后期维护的风险与成本。选择我们的ST中国代理，您获得的不仅是一颗高性能芯片，更是从技术选型到供应链支持的全方位保障。

当您深入审视选型理由时，SD1731的优势更加清晰可见。它采用表面贴装的M174封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，显著提升您的组装效率与一致性。高达13dB的增益，意味着您可以用更简洁的电路架构实现强大的信号放大效果，简化设计复杂度，加速产品上市周期。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其在特定高可靠性、长生命周期需求的领域，依然是无可替代的经典之选。为您的关键应用锁定这颗性能标杆，就是为产品的长期稳定运行奠定了最坚实的基础。

• 型号:SD1731
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M174
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
• 描述:RF TRANS NPN 55V M174
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:55V
• 频率 - 跃迁:-
• 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:-
• 增益:13dB
• 功率 - 最大值:233W
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:15 @ 10A，6V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A
• 工作温度:200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:M174
• 供应商器件封装:M174
• SD1731的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。