STAC150V2-350E

在追求极致效率的工业射频应用领域，您是否还在为功率、稳定性和成本之间的平衡而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出STAC150V2-350E，这颗来自ST意法半导体的射频功率MOSFET，正是为打破瓶颈、重塑性能标准而生。它不仅仅是一个组件，更是您下一代高功率射频系统实现飞跃的关键引擎。

想象一下，在等离子体发生器、工业加热、医疗消毒或广播发射设备的核心位置，一颗芯片正以高达500W的输出功率稳定运行，同时保持着惊人的16.5dB增益。这正是STAC150V2-350E为您呈现的现实场景。其700V的高额定电压与150V的测试电压，赋予了它无与伦比的坚固性和可靠性，确保在最严苛的工业环境下也能游刃有余。无论是面对40.68MHz的精准频率需求，还是需要处理瞬间的高功率负载，它都能以N通道的卓越性能，将电能高效、纯净地转化为强大的射频能量，让您的设备性能始终站在行业前沿。

选择STAC150V2-350E，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其采用的先进STAC177B封装，不仅优化了散热和电气连接，更代表了ST在射频功率器件领域的深厚积淀。这颗“有源”状态的芯片，意味着它技术成熟、供应稳定，随时准备为您的创新项目注入强大动力。当您需要可靠的技术支持和本土化服务时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理网络将为您提供从选型到量产的全方位协助。从性能参数到实际应用，从芯片本身到完整生态，STAC150V2-350E为您提供的是一套完整的高价值解决方案，助您轻松攻克技术难关，高效占领市场先机。

• 型号:STAC150V2-350E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:STAC177B
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET 150V STAC177B
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 通道
• 频率:40.68MHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:150 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:-
• 功率 - 输出:500W
• 电压 - 额定:700 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:STAC177B
• 供应商器件封装:STAC177B
• STAC150V2-350E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。