STB11NK50ZT4

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与强电流，且保持冷静与稳定的功率开关核心？这正是STB11NK50ZT4诞生的使命。作为ST意法半导体SuperMESH家族的杰出代表，它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的秘密武器。其500V的坚固耐压与10A的强大电流处理能力，为系统构筑了坚实的第一道防线，而极低的导通电阻（仅520毫欧）则意味着更少的能量以热量形式白白耗散，直接转化为更高的整体能效和更长的运行时间。

想象一下，在开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路中，它能够游刃有余地处理高频开关动作，确保电网侧电能的高质量转换；在电机驱动或工业逆变器中，面对感性负载的冲击，其稳健的特性提供了可靠的保障；即便是对空间和散热要求苛刻的LED照明驱动或适配器设计，其表面贴装的D2PAK封装也能轻松集成，并凭借高达125W的功率耗散能力，让热管理变得前所未有的从容。从家用电器到工业设备，从消费电子到新能源应用，它的身影无处不在，默默支撑着现代电力电子的高效运转。

选择STB11NK50ZT4，就是选择了一份由尖端技术与卓越品质背书的安心。SuperMESH技术带来的超低栅极电荷（仅68nC）和输入电容，显著降低了开关损耗和驱动需求，让您的电路设计更简洁，开关频率可以更高，从而有可能使用更小体积的磁性元件。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定服役。当您需要获取这颗性能标杆或进行技术咨询时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到供应的全方位支持。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品注入持久动力与卓越可靠性的战略投资。

• 型号:STB11NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB11NK50ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。