STB120N10F4

在追求极致效率的电力转换领域，您是否还在为功率器件的导通损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载120A大电流的开关，其导通电阻却能做到极低，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被高效地输送到您的终端设备。这正是STB120N10F4为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统整体能效、实现设计精简化的得力助手。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率DC-DC转换器，这款N沟道功率MOSFET都能游刃有余。其高达100V的漏源电压和120A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的功率基础。在严苛的工业环境中，它宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了稳定可靠的运行，让您的设备无惧挑战。而其经典的D2PAK封装，不仅提供了出色的散热性能，也简化了您的PCB布局和组装流程。

选择STB120N10F4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。它高达300W的功率耗散能力，意味着在相同性能下，您的散热设计可以更从容，系统体积和成本有望进一步优化。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得稳定货源，为现有产品的持续生产与维护提供保障。这颗芯片承载的不仅是电流，更是助力您的产品在市场中保持竞争力、赢得用户信赖的关键一环。让它成为您下一个高效能设计的基石，开启性能与可靠性的新篇章。

• 型号:STB120N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB120N10F4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。