STB120NF10T4

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而困扰？现在，一颗性能卓越的功率器件将彻底改变您的设计体验。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STB120NF10T4，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、紧凑、可靠电源方案的强大引擎。

这款基于先进STripFET II技术打造的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和高达110A的连续漏极电流承载能力，为您的设计提供了充沛的动力储备。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下，仅10.5毫欧的Rds(on)值意味着更少的导通损耗，更多的电能被高效利用，直接转化为系统的整体能效提升和温升的显著降低。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源车载充电器，它都能游刃有余，确保系统在严苛环境下稳定运行。

想象一下，在紧凑的通信基站电源模块里，它帮助实现更高的功率密度；在快速发展的电动汽车充电桩中，它保障大电流通断的稳定与安全；在自动化产线的电机控制板上，它响应迅速，驱动有力。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，能承受高达312W的功率耗散，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是让它无惧严寒酷暑，适应各种极端环境挑战。选择它，就是为您的产品注入了持久可靠的动力核心。

为何众多工程师在关键项目中信赖STB120NF10T4？因为它代表了性能与可靠性的完美平衡。优异的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速开关和低驱动损耗，让您的开关电源频率可以设计得更高，从而使用更小的磁性元件，进一步缩小整体体积。面对激烈的市场竞争，一颗优秀的芯片就是您产品的制胜法宝。如需获取官方正品、技术支持和现货供应，请务必通过授权的ST中国代理进行采购，这将是您项目成功与长期稳定供货的有力保障。立即将STB120NF10T4纳入您的设计，开启高效节能的新篇章！

• 型号:STB120NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB120NF10T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。