STB12NM60N

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh II系列中的经典力量STB12NM60N。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是一个经过市场验证的高性能解决方案，以其600V的漏源电压和10A的连续漏极电流，为您的系统注入强劲而稳定的动力。在追求能效的今天，其410毫欧的超低导通电阻（@5A,10V）意味着更少的热量产生，更高的能源转换效率，直接为您降低运营成本，提升产品竞争力。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业逆变器等关键应用中，STB12NM60N如何大显身手。它卓越的MDmesh II技术确保了快速开关性能和优异的雪崩耐量，让您的设备在面对复杂工况和电压应力时依然从容不迫。无论是需要持续可靠运行的工业设备，还是对空间和效率有严苛要求的消费类电源适配器，这颗芯片都能轻松融入，提供坚实的保护。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热能力，高达90W（Tc）的功率耗散也让它在高功率密度设计中游刃有余，工作温度范围宽至-55°C ~ 150°C，适应从严寒到酷热的各类环境挑战。

选择STB12NM60N，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与经过验证的卓越性能。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其成为许多经典和特定延续性项目的可靠之选。对于寻求稳定供应与技术支持的设计师而言，通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购，是确保获得正品货源和完整技术文档的最佳途径。让这颗凝聚了尖端MOSFET技术的芯片，成为您下一个成功产品的坚实基石，驱动创新，赋能未来。

• 型号:STB12NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB12NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。