STB13N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、同时保持超快开关速度的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能与市场竞争力。现在，这一切不再是想象，STB13N60M2正是为此而生的卓越解决方案。

它采用了意法半导体引以为傲的MDmesh II Plus技术，将600V的耐压能力与低至380毫欧的导通电阻完美结合。这意味着在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，它能以更低的能量损耗处理高达11A的连续电流，直接将电能转换效率提升到一个新高度。更低的损耗不仅意味着更少的发热，也意味着您的散热系统可以设计得更简单、更小巧，从而为产品瘦身、降低成本开辟了广阔空间。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了开关动作干净利落，进一步减少了开关过程中的能量浪费，让系统运行既冷静又高效。

无论是服务器电源需要承受严苛的负载，还是工业变频器追求极致的可靠性，或是您手中正在开发的下一代高效LED驱动，STB13N60M2都能游刃有余。它那-55°C至150°C的宽广工作结温范围，配合坚固的D2PAK封装，赋予了产品无与伦比的环境适应性和长期稳定性，确保您的终端设备在各种挑战下都能持续稳定输出。选择它，就是选择了一份经过市场验证的安心与卓越。

当您寻求一个能同时优化效率、尺寸和可靠性的核心功率开关时，选型理由变得无比清晰。这颗芯片不仅仅是参数的堆砌，更是工程智慧的结晶，它直接对应着更长的产品寿命、更低的运营成本以及更出色的用户体验。我们强烈推荐您通过官方授权的ST中国代理进行采购，以确保获得原装正品、完备的技术支持以及可靠的供应链保障。让STB13N60M2成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:STB13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB13N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。