STB13N80K5

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为高压开关损耗与系统可靠性之间的平衡而困扰？当800V高压平台成为工业电源、新能源及家电领域的趋势，一颗兼具高性能与高可靠性的功率MOSFET，正是决定产品成败的关键。今天，我们为您带来意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STB13N80K5，它将用颠覆性的表现，重新定义您对高压开关器件的期待。

想象一下，在服务器电源的PFC电路中，或在太阳能逆变器的DC-DC模块里，甚至是在您家中空调的变频驱动板上，STB13N80K5正以其800V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，从容应对各种严苛的开关动作。其革命性的SuperMESH5技术，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的450毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。搭配仅29nC的低栅极电荷，它能实现极快的开关速度，显著降低开关损耗，让您的系统整体效率轻松突破新高，同时运行温度更低，寿命更长。

选择STB13N80K5，就是选择了一份从容与安心。它不仅仅是一个参数优秀的器件，更是系统稳定性的基石。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境下依然稳定工作，而D2PAK封装则提供了卓越的功率耗散能力（高达190W）和坚固的机械可靠性。无论是面对工业环境的震动，还是消费电子对体积的严苛要求，它都能完美胜任。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST中国代理将为您提供从技术选型到批量供应的全方位支持。让STB13N80K5成为您下一代高效、紧凑、可靠电源设计的核心动力，开启能效新纪元。

• 型号:STB13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB13N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。