STB13NK60ZT4

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗既能承载高功率又能保持低温冷静的“心脏”？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STB13NK60ZT4，这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，正是为突破极限、重塑效能标准而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的关键引擎。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源等严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高达600V的电压和13A的连续电流。传统器件往往在高效与可靠之间难以两全，要么牺牲性能，要么面临过热风险。而STB13NK60ZT4凭借其先进的SuperMESH技术，将导通电阻（RdsOn）降至极低的550毫欧，这意味着在相同电流下，它的功率损耗显著减少，电能转换效率大幅提升。更低的损耗直接转化为更少的热量，让您的设备运行得更凉爽、更持久，系统整体可靠性跃升新台阶。

选择STB13NK60ZT4，就是选择了一份从容与安心。其坚固的D2PAK封装提供了卓越的散热能力和机械强度，非常适合表面贴装工艺，能轻松应对自动化生产的需求。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在极端环境下依然稳定如初，无论是严寒还是酷热，都能忠实履行使命。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于追求高频高效的应用至关重要，能让您的电源设计在动态响应和能效表现上双双脱颖而出。

我们深知，一颗卓越的芯片需要可靠的渠道支持才能发挥最大价值。作为值得信赖的ST芯片代理，我们不仅为您提供原装正品的STB13NK60ZT4，更提供专业的技术支持和供应链保障，确保您的项目从研发到量产一路畅通。让STB13NK60ZT4成为您下一个成功产品的强大基石，携手我们，共同开启高效、可靠的电能管理新篇章。

• 型号:STB13NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB13NK60ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。