STB141NF55-1

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而困扰？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STB141NF55-1，这颗源自意法半导体STripFET II家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键引擎。凭借其卓越的电气特性，它能将能量转换过程中的损耗降至新低，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高密度DC-DC转换器或新能源车载充电器中，电流的每一次开关都意味着能量的流动与损耗。STB141NF55-1正是为此类高压、大电流的严苛场景量身打造。其高达80A的连续漏极电流承载能力和55V的漏源电压，为系统提供了坚实的功率基础。更令人振奋的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的8毫欧，这意味着在40A的大电流通过时，产生的导通损耗微乎其微。这不仅直接提升了整机效率，更能显著降低发热量，简化散热设计，让您的产品运行更凉爽、更安静、寿命更长。

选择STB141NF55-1，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。STripFET II技术确保了器件在开关速度和导通电阻之间取得了完美平衡，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为轻松，有效减少了开关损耗，提升了系统在高频下的工作表现。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性与可靠性。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其在特定升级或备货方案中依然极具价值。如需获取专业的选型支持与库存信息，我们的ST中国代理团队随时准备为您提供详尽的服务，帮助您为成功的产品找到最匹配的“心脏”。

• 型号:STB141NF55-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB141NF55-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。