STB14NK50Z-1

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与大电流，且始终保持冷静的功率开关？答案就在STB14NK50Z-1。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其500V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力核心。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键伙伴。

想象一下，在开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路中，或在工业电机驱动、不间断电源（UPS）的逆变桥臂上，电压应力高、开关频率快，对器件的稳健性是严峻考验。STB14NK50Z-1凭借其先进的SuperMESH技术，将导通电阻（Rds(on)）优化至仅380毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。其高达150W的功率耗散能力，配合I2PAK封装优异的散热特性，确保即使在严苛工况下也能游刃有余，大幅提升系统整体能效与长期运行可靠性，让您的设备在激烈的市场中脱颖而出。

选择STB14NK50Z-1，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品卓越的环境适应性。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、经过市场验证的卓越性能，以及通过ST中国代理渠道可能获得的库存支持，使其依然是许多经典或特定升级设计的明智之选。它能有效简化您的热管理设计，降低系统综合成本，让您将更多精力专注于核心功能的创新与优化，快速响应市场变化。

• 型号:STB14NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB14NK50Z-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。