STB14NK50ZT4

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STB14NK50ZT4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的SuperMESH技术，为您带来前所未有的效率提升和系统可靠性。想象一下，在您的电源适配器、工业电机驱动或照明系统中，开关损耗显著降低，温升得到有效控制，整体能效轻松迈上新台阶，这正是STB14NK50ZT4能够为您实现的真实价值。

无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致紧凑的消费类电源设计，STB14NK50ZT4都能游刃有余。其500V的高耐压和14A的连续漏极电流能力，让它成为开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机控制以及高效照明驱动等应用的理想心脏。在变频空调的驱动板上，它确保压缩机平稳高效运行；在服务器电源中，它助力实现80Plus白金级甚至钛金级能效；甚至在电动汽车的车载充电器（OBC）中，也能看到其稳定可靠的身影。选择它，就是为您的产品注入了持久、高效的动力源泉。

那么，在众多功率器件中，为何STB14NK50ZT4能脱颖而出？答案在于其精妙的平衡艺术。它不仅在导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）之间取得了完美平衡，将开关损耗降至最低，还拥有高达150W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在重载和高温环境下的卓越稳定性。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，也兼容自动化表面贴装生产，让您的制造流程更加高效。要获得这颗性能强劲的芯片，您可以咨询专业的ST代理商，获取全面的技术支持与供应保障。立即采用STB14NK50ZT4，不仅仅是选择了一颗元器件，更是为您产品的竞争力与市场成功，投下了至关重要的一票。

• 型号:STB14NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB14NK50ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。