STB14NK60ZT4

您是否正在为电源转换系统寻找一颗既能承受高压冲击，又能保持高效稳定运行的功率开关器件？想象一下，在工业电源、电机驱动或PFC电路中，一个关键元件的失效可能导致整个系统宕机，带来不可估量的损失。这正是STB14NK60ZT4大显身手的舞台。作为意法半导体SuperMESH家族的明星成员，它不仅仅是一个MOSFET，更是您系统可靠性与效率的坚实守护者。

这颗芯片的核心魅力在于其卓越的性能平衡。600V的漏源电压和13.5A的连续漏极电流，赋予了它从容应对严苛电力环境的能力，无论是面对电网波动还是负载突变，都能稳如磐石。而其低至500毫欧的导通电阻，意味着在导通状态下，能量损耗被大幅降低，更多的电能被高效地转化为您需要的动力或稳定的直流输出，直接帮助您提升整机能效，降低运营成本。这种高效与坚固的结合，让它在开关电源、不间断电源(UPS)、照明镇流器以及各类工业电机控制应用中游刃有余。

选择STB14NK60ZT4，就是选择了一份经过市场验证的安心。其采用的先进SuperMESH技术，专门优化了高压下的开关特性，不仅开关速度快，而且栅极电荷（Qg）控制出色，这能显著减轻驱动电路的负担，让您的系统设计更简洁，运行更可靠。表面贴装的D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，确保芯片在高达150°C的结温下依然能稳定工作，极大地延长了产品的使用寿命。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将是您项目成功的得力伙伴。

归根结底，在竞争激烈的市场中，产品的差异化往往源于这些核心器件的选择。STB14NK60ZT4以其强大的性能、出色的可靠性和意法半导体的品牌背书，为您提供了一个提升产品竞争力的绝佳机会。它不仅仅是一个组件，更是您构建高效、耐用、领先的电力电子系统的基石。投资这样一颗芯片，就是投资于您产品的未来表现和用户的长期信任。

• 型号:STB14NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB14NK60ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。