STB14NM50N

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STB14NM50N。这颗N沟道功率MOSFET，以其500V的卓越耐压能力和12A的连续漏极电流，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、简化散热设计、赢得市场竞争的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STB14NM50N正在高效运作。其核心的MDmesh II技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)典型值远低于320毫欧），这意味着在传导过程中的能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是工业电源、UPS不同断电源，还是照明镇流器和适配器，它都能游刃有余，确保系统在严苛环境下依然稳定可靠，让您的产品在能效标准和长期耐用性上脱颖而出。

选择STB14NM50N，就是选择了一份经得起验证的卓越。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更加迅速、干净，显著降低了开关损耗，使得高频开关设计变得轻松。表面贴装D2PAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其出色的热性能更能将高达90W的功率耗散轻松导出，确保芯片结温在安全范围内。这一切，都让您的设计周期缩短，系统性能提升，总拥有成本降低。如需获取官方正品与技术支援，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STB14NM50N，为您的下一个功率设计项目，奠定高效、可靠与成功的基石。

• 型号:STB14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB14NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。